產品名稱：CVD-WSe2單層薄膜:Si/SiO2襯底齊岳提供單層和雙層

產品描述：

CVD-WSe2單層薄膜:Si/SiO2襯底齊岳提供單層和雙層西安齊岳生物供應生長WSe2二硒化鎢連續大面積薄膜除了使用藍寶石襯底以外，還可以通過調控和優化實驗條件在二氧化硅襯底上生長出厘米量級的單層和雙層WSe2連續大面積薄膜。CVD生長WSe2大膜的生長條件與制備大尺寸單層WSe2薄膜的工藝參數基本一樣，不同的是(1)硒丸的加熱溫度設置為420℃，(2)先將氧化鎢在970℃下保溫20min后再通入7sccm的氫氣。因為氧化鎢的熔點高，不利于蒸發，在970℃下保溫20min使剛玉舟內有足夠多的WOx蒸汽，再通入大量的氫氣硒源的還原性，可以使硒與氧化鎢迅速反應生成二硒化鎢薄膜。我們在此條件下，調控生長時間從5min到25min，步長為5min。如圖3-22(a)所示，當生長時間為5min時，基片上出現大量的二硒化鎢單晶。通過觀察低倍光學照片發現許多二硒化鎢拼接在一起，并在晶界處有雙層二硒化鎢生長；觀察高倍光學照片和熒光照片發現二硒化鎢單晶不是一個干凈的正三角形，在邊緣出現許多“毛刺"和表面出現許多小點，尺寸在200μm左右。這是因為大量的氫氣引入，在加快二硒化鎢生長的過程中，還因為氫氣的腐蝕使二硒化鎢邊緣出現了一些缺陷加速WSe2橫向生長。如圖3-22(b)所示，當生長時間為10min時，可以看到大面積連續的二硒化鎢薄膜，尺寸為1cm×1cm。通過高倍光學照片和對應的熒光照片發現薄膜質量比較均勻，單晶尺寸為150μm左右，但在晶界處有少量的多層二硒化鎢生長。如圖3-22(c)、(h)和(m)所示，反應時間為15min時，在單層WSe2薄膜表面可以觀察到大量的形核點，開始生長二層二硒化鎢。這是因為生長時間增加，氫氣腐蝕薄膜表面，引入大量缺陷，由晶體學可知，晶體在缺陷處容易形核長大。如圖3-22(d)和(e)所示，繼續增加生長時間，雙層二硒化鎢的覆蓋率增加，其中生長時間為25min時，雙層二硒化鎢基本形成連續大膜，只有少量的空隙沒有生長。研究生長過程發現此方法生長的雙層連續大膜的生長方式為生長完一層后再生長二層，而不是由雙層二硒化鎢單晶拼接形成。量子點定制產品目錄：水溶性CdTe/CdS（碲化鎘/硫化鎘）3-巰基丙酸修飾CdTe碲化鎘量子點PbS量子點修飾TiO2納米棒二硫化碳修飾水溶性CdTe/CdS量子點Mn錳修飾CdTe/CdS量子點POSS修飾CdTe量子點POSS修飾CdSeTe熒光量子點硫化鎘包被碲化鎘核殼型量子點(CdTe/CdS QDs)牛血清白蛋白修飾碲化鎘量子點(BSA-CdTe)CdTe/CdS量子點負載PEI-MWCNTsCdTe/CdS量子點修飾TiO2納米管氨基化葫蘆脲修飾的碲化鎘量子點CB[6]/CdTe QDs和CB[7]/CdTeQDs核糖核酸酶(RNase A)修飾碲化鎘(CdTe)量子點3-巰基丙酸(MPA)包覆碲化鎘量子點(CdTe QDs)巰基化殼聚糖修飾碲化鎘量子點CdTe QDs巰基乙酸修飾的碲化鎘量子點(TGA-CdTe-QDs)石墨烯-碲化鎘量子點復合材料(G-CdTe QDs)氧化石墨烯-碲化鎘量子點(rGO-CdTe QDs)碲化鎘量子點功能化碳納米球(CNS/CdTe QDS)巰基丙酸包覆碲化鎘CdTe量子點(CdTe QDs)環糊精修飾碲化鎘CdTe量子點聚乙烯吡咯烷酮修飾硫化鎘量子點(PVP/CdS)硫化鎘量子點修飾AIE熒光探針分子羧甲基纖維素鈉修飾硫化鎘(CdS)量子點水溶性鍺摻雜硫化鎘量子點(Ge:CdS d-dots)硫化鎘量子點修飾多孔碳氮化物(pg-CN/CdS QDs)石墨烯/硫化鎘量子點復合材料硅納米線-硫化鎘CdS量子點復合材料廠家：西安齊岳生物科技有限公司以上資料來自小編axc,2022.03.15以上文中提到的產品用于科研，不能用于人體。 相關目錄： 多壁碳納米管直徑10-30nm,長度1-2um應 紅細胞膜包裹介孔二氧化硅負載藥小分子

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西安齊岳生物科技有限公司是集化學科研和定制與一體的高科技化學公司。業務范圍包括化學試劑和產品的研發、生產、銷售等。涉及產品為通用試劑的分銷、非通用試劑的定制與研發，涵蓋生物科技、化學品、中間體和化工材料等領域。
主營產品：COF、MOF單體系列：三蝶烯衍生物、金剛烷衍生物、四苯甲烷衍生物、peg、上轉換、石墨烯、光電材料、點擊化學、凝集素、載玻片、蛋白質交聯劑、脂質體、蛋白、多肽、氨基酸、糖化學等。