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Si/SiO2襯底CVD-WSe2單層薄膜/多層薄膜
文章來源 : 齊岳生物
作者:zhn
發布時間 : 2022-08-04 10:17:21
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產品名稱:Si/SiO2襯底CVD-WSe2單層薄膜/多層薄膜
產品描述:
Si/SiO2襯底CVD-WSe2單層薄膜/多層薄膜齊岳生物 西安齊岳生物科技有限公司供應氮化硼粉末、單層、少層氮化硼,異質結,六方氮化硼納米片、原子摻雜六方氮化硼、以及功能化修飾氮化硼復合材料。供應基底氮化硼BN(石英、PET、藍寶石、銅、氧化硅片、Si、Si/SiO2基底、玻璃基底等),MoS2/WS2/hBN/Graphene異質結、MX2/MX2/hBN/石墨烯異質結、MX2/hBN異質結. 實驗發現生長WSe2二硒化鎢連續大面積薄膜除了使用藍寶石襯底以外,還可以通過調控和優化實驗條件在二氧化硅襯底上生長出厘米量級的單層和雙層WSe2連續大面積薄膜。CVD生長WSe2大膜的生長條件與制備大尺寸單層WSe2薄膜的工藝參數基本一樣,不同的是(1)硒丸的加熱溫度設置為420℃,(2)先將氧化鎢在970℃下保溫20min后再通入7sccm的氫氣。因為氧化鎢的熔點高,不利于蒸發,在970℃下保溫20min使剛玉舟內有足夠多的WOx蒸汽,再通入大量的氫氣硒源的還原性,可以使硒與氧化鎢迅速反應生成二硒化鎢薄膜。 我們在此條件下,調控生長時間從5min到25min,步長為5min。如圖3-22(a)所示,當生長時間為5min時,基片上出現大量的二硒化鎢單晶。通過觀察低倍光學照片發現許多二硒化鎢拼接在一起,并在晶界處有雙層二硒化鎢生長;觀察高倍光學照片和熒光照片發現二硒化鎢單晶不是一個干凈的正三角形,在邊緣出現許多“毛刺"和表面出現許多小點,尺寸在200μm左右。這是因為大量的氫氣引入,在加快二硒化鎢生長的過程中,還因為氫氣的腐蝕使二硒化鎢邊緣出現了一些缺陷加速WSe2橫向生長。如圖3-22(b)所示,當生長時間為10min時,可以看到大面積連續的二硒化鎢薄膜,尺寸為1cm×1cm。通過高倍光學照片和對應的熒光照片發現薄膜質量比較均勻,單晶尺寸為150μm左右,但在晶界處有少量的多層二硒化鎢生長。如圖3-22(c)、(h)和(m)所示,反應時間為15min時,在單層WSe2薄膜表面可以觀察到大量的形核點,開始生長二層二硒化鎢。這是因為生長時間增加,氫氣腐蝕薄膜表面,引入大量缺陷,由晶體學可知,晶體在缺陷處容易形核長大。 如圖3-22(d)和(e)所示,繼續增加生長時間,雙層二硒化鎢的覆蓋率增加,其中生長時間為25min時,雙層二硒化鎢基本形成連續大膜,只有少量的空隙沒有生長。研究生長過程發現此方法生長的雙層連續大膜的生長方式為生長完一層后再生長二層,而不是由雙層二硒化鎢單晶拼接形成。 WSe2連續大面積薄膜的AFM表征 為了的判斷二硒化鎢薄膜的層數,我們對生長時間為10min與25min時的樣品進行AFM表征。圖3-24(a)為單層二硒化鎢大膜的原子力照片,將薄膜用鑷子輕輕刮一條痕跡暴露出WSe2薄膜下面的SiO2/Si襯底。從AFM照片中可以觀察到在襯底和薄膜表面上有許多亮點,這是因為基片長時間暴露在空氣中,在SiO2襯底和薄膜表面吸附大量的雜質。圖3-24(b)測量出二硒化鎢薄膜與SiO2襯底的臺階高度為0。76nm,與文獻中報道的單層WSe2厚度基本一致[44]。圖3-24(c)為雙層WSe2的原子力照片,表面比較平整干凈,質量較好。測得二硒化鎢與SiO2襯底的臺階高度為1。66nm,與文獻中報道的雙層WSe2厚度基本一致[44]。證明了在生長時間為10min與25min時的樣品確實為單層與雙層WSe2大膜。 其中在SiO2/Si襯底生長出單層和雙層二硒化鎢大膜。并通過拉曼、光致發光譜、AFM和XPS對單層和雙層WSe2大膜進行表征。測得單層WSe2大膜的PL峰值為1。59eV,厚度為0。76nm;雙層WSe2大膜的PL峰值為1。55eV,厚度為1。66nm。并對雙層WSe2薄膜進行XPS表征,W4f7/2和W4f5/2兩個特征峰,其峰位分別位于32。82eV和41。16eV,Se2d5/2和Se2d3/2兩個特征峰峰位分別為55。17eV和57。68eV。 薄膜狀金屬氧化物產品列表: 氧化鈷CoO薄膜 二氧化錳MnO2薄膜 氧化鎳NI2O3薄膜 氧化鉭TaO薄膜 氧化鉍(BI2O3)薄膜 五氧化二鉭Ta2O5薄膜 氧化鍶SrO薄膜 氧化鈮NbO薄膜 氧化鋇BaO薄膜 氧化鉿HfO2薄膜 氧化錸ReO薄膜 氧化鋨OsO薄膜 氧化銥IrO2薄膜 氧化釙Po薄膜 氧化鐳RaO薄膜 氧化鏌McO薄膜 氧化鉨NhO薄膜 氧化鑭LaO薄膜 氧化鈰CeO薄膜 氧化鐠PrO薄膜 氧化釹NdO薄膜 氧化釤SmO薄膜 氧化銪EuO薄膜 氧化釓GdO薄膜 氧化鋱TbO薄膜 氧化鏑DyO薄膜 氧化鈥HoO薄膜 氧化鉺ErO薄膜 氧化銩TmO薄膜 氧化鐿YbO薄膜 氧化镥LuO薄膜 氧化錒AcO薄膜 氧化釷ThO薄膜 氧化鏷PaO薄膜 氧化鈾UO薄膜 氧化镎NpO薄膜 氧化钚PuO薄膜 氧化镅AmO薄膜 氧化鋦CmO薄膜 氧化锫BkO薄膜 氧化锎薄膜 氧化鍺GeO薄膜 氧化鉻CrO薄膜 氧化銠RhO薄膜 氧化釕RuO薄膜 CVD-少層氮化硼BN薄膜 CVD-多層氮化硼BN薄膜 CVD-單層氮化硼BN薄膜 CVD-三維氮化硼 硅基單層氮化硼BN薄膜 CVD-多層氮化硼BN薄膜 硅基氮化硼/石墨烯異質結 基于硅基的CVD石墨烯與CVD氮化硼異質結構(11cm,4片裝) 基于硅基的CVD石墨烯與CVD氮化硼異質結構(11cm,8片裝) 基于285nm二氧化硅基底的單層氮化硼薄膜(1*1cm,4片裝) 基于銅基的單層氮化硼薄膜(5*2.5cm) 二硫化鉬/二硫化鎢/氮化硼/石墨烯薄膜 CVD-三維鎳基氮化硼BN泡沫 CVD-三維氮化硼BN泡沫 CVD-三維氮化硼BN泡沫 泡沫銅三維六方氮化硼薄膜(5*10cm) 泡沫銅三維六方氮化硼薄膜(10*10cm) 單層氮化硼溶液Monolayer h-BN Solution 氮化硼薄片粉末h-BN Flakes Powder h-BN?氮化硼晶體?(Hexagonal Boron Nitride 基于銅基的單層氮化硼薄膜(5*2.5cm) 基于銅基的多層氮化硼薄膜(5*2.5cm) 六方氮化硼晶體(20片裝) 銅基單層氮化硼薄膜 SiO2/Si襯底單層氮化硼薄膜 一步轉移法單層氮化硼薄膜 CVD六方氮化硼薄膜(基底可選) 單層、雙層、多層等需求定制;尺寸:1*1cm CVD六方氮化硼薄膜 基底:石英基底/PET基底/藍寶石基底/Sio2/Si 石英基底六方氮化硼薄膜 單層、雙層、多層六方氮化硼薄膜 PET基底六方氮化硼薄膜 藍寶石基底六方氮化硼薄膜 Sio2/Si基底六方氮化硼薄膜 285nm二氧化硅基底的單層氮化硼薄膜Sio2-hBN 基于銅基的單層氮化硼薄膜 廠家:西安齊岳生物科技有限公司 以上資料來自小編axc,2022.03.07 以上文中提到的產品用于科研,不能用于人體 相關目錄: 綠色二氧化硅熒光球 10UM (疏水) 血小板細胞膜包裹金屬-有機骨架(MOF)納聯系我們:
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西安齊岳生物科技有限公司是集化學科研和定制與一體的高科技化學公司。業務范圍包括化學試劑和產品的研發、生產、銷售等。涉及產品為通用試劑的分銷、非通用試劑的定制與研發,涵蓋生物科技、化學品、中間體和化工材料等領域。
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